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發(fā)表時(shí)間：2023-09-14

二氧化硅的導(dǎo)熱系數(shù)在20-100 mbar的壓力下能達(dá)到3-6 mW/(m·K)。不過(guò)，導(dǎo)熱系數(shù)會(huì)隨著壓力的變化而發(fā)生改變，以上數(shù)據(jù)僅供參考。